当DMOS的其间一端处于到通的状况，那么可以说电阻RDS(ON)一直处于能操控的规模。在此期间的功耗的表达式：
尽管L6201/1PS/2/3这类芯片能确保被击穿的状况的发生，可是不能防止因为DMOS管装备二极管的内部结构而引起的强电流发生的检测热量。这种现象的发生主要是因为与节点组合的C1和C2两个电容充放电（如图14）。当输出有高电平向低电平转化的时分，一股的尖峰电流注入电容C1。在低电平向高电平转化的过程中相同有一股大的尖峰电流注入电容C2，底部DMOS场效应管的输入电容的充电导致在尖峰电流之前有电极性的跳变（如图15）。
L6201/1PS/2/3是一种运用多源BCD(Bipolar,CMOS,DMOS)技能，用于电机切换驱动的整块全桥芯片。多源BCD技能是集成多个或许独自的DMOS场效应晶体管，其他还混合MOS管/二极管的操控电路。运用这种技能使得这类芯片具有兼容一切TTL,COMS和C并能消除外部MOS设备的驱动问题。逻辑驱动图如表1所示。
L6201是一种运用多源BCD(Bipolar,CMOS,DMOS)技能来操控电机的全控桥驱动器芯片，这种芯片能将独立的DMOS场效应晶体管和CMOS以及二极管集成在一块芯片上。因为运用模块化扩展技能，L6201能轻松完成逻辑电路及功率级的优化。DMOS场效应管能在42V的电压下运转，一起具有高效、高速的切换功能。兼容一切的TTL, CMOSandC输入。每个独立的逻辑输入能操控一个沟道(半桥)，而公共的使能端能操控两个沟道。L6201共有3中不同的封装类型。
8、此驱动器十分时分操控飞思卡尔智能车，驱动器压降小，电流大，驱动能力强。
运用驱动器能操控一台直流电机。电机分别为OUT1和OUT2。输入端EN可用于输入PWM脉宽调制信号对电机进行调速操控。（假如无须调速可将EN使能端，接凹凸电平，高电平发动，低电平中止。也可由单片机输出直接操控）完成电机正回转就更简单了，输入信号端IN1接高电平输入端IN2接低电平，电机正转。（假如信号端IN1接低电平，IN2接高电平，电机回转。）可参阅下图表：
当DOMS的其间一端关断的时分，那么VDS的电压等于电压源的电压，一起只要漏电流IDSS存在。此间的功耗有如下的公式：
电气特性（测验电路参数：温度=25C,，电压42V，传感电压0V，无其他特其他条件）
