NAND闪存内部结构解析

  ),里边有一个浮置栅极(Floating Gate),它便是真实存储数据的单元。请看下图:

  数据在闪存的存储单元中是以电荷(electrical charge) 方式存储的。存储电荷的多少,取决于图中的操控栅极(Control gate)所被施加的电压,其操控了是向存储单元中冲入电荷仍是使其开释电荷。而数据的表明,以所存储的电荷的电压是否超越一个特定的阈值Vth来表明。

  1.关于NAND闪存的写入(编程),便是操控Control Gate去充电(对Control Gate施加电压),使得浮置栅极存储的电荷够多,超越阈值Vth,就表明0。

  2.关于NAND Flash的擦除(Erase),便是对浮置栅极放电,低于阈值Vth,就表明1。

  NAND型闪存的擦和写均是根据地道效应,电流穿过浮置栅极与硅底层之间的绝缘层,对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。(见下图)而这个绝缘层会跟着擦写而耗费。而跟着制程的提高,FG层包容的电子会变少,而绝缘层也会变的越来越薄,所以耗费才能也会相应下降,这便是为什么新制程的颗粒寿数反而越来越短的原因。以intel为例,40nm的MLC闪存寿数大约为5000次,而25nm仅为3000次,到了19nm只剩下2000,而部分厂商的16nmMLC闪存则只要1500次的寿数。

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